科技大学）//光学技术。一2001，27（4）。―348-349，351对双CCD交汇坐标测量的数学模型进行了误差分析，提出了最优结构参数的条件。通过计算机仿真的方法，对两CCD交汇测的结构参数进行了优化设计，得出了在不同靶面尺寸时的优化结果。从理论上证明了在双CCD交汇坐标测盘时“光轴正交交汇”的结论。表1参9（木）低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管/贾宏陪，陈培毅，钱佩信，潘宏菽，黄杰，杨增敏，李明月（清华大学微电子所）//半导体给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管（HBT）的器件结构和测试结果。器件结构适于低压大电流状态下应用。采用了梳状发射极条的横向版图设计，其工作电压为3*4V.在C类工作状态，1GHz的工作频率下，输出功率可以达到1.65W，具有8dB的增益*3V时可以达到的最高收集极效率为67.8 %参5（木）8、微电子学、集成电路纳米电子学研究与展望/温殿忠，李国栋，赵晓锋（黑龙江大学）黑龙江大学自然科学学报。一2001，18（3）。―59-64在阐述纳米科学技术概念、意义和内涵的基础上，着重展望了21世纪纳米电子学研究与发展的几个主要领域和发展前景。表1参44（木）存储芯片层次化分割P/G网等效电阻求解算法/竺红卫，严晓浪，孙玲玲，马琪（浙江大学信电系）//电路与系统学报+―由于存储芯片版图P/G网规模的巨大，对于计算电阻网络中节点间等效电阻问题。直接利用常规线性方程组求解算法无法同时满足内存空间与运行时间上的限制。针对版图线网网络关联密集度不均衡的特点，文中提出了一种层次化网络分割算法，将全局网络按层次分割成可求解子网，并利用等效子网算法实现多观测点快速计算。表1参6（金）种改进的高层功耗估计方法/杨军，龙兴，胡晨，史又华（东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心）电路与系统学报。一2001，6（4）。*38-文中讨论了集成电路高层功耗估计方法，并针对线性位相关系数模型提出了一种更为精确的功耗估计方法，它可用于功耗驱动的VLSI高层综合。实验结果表明当信号为有限参数的平稳时间序列时，这种估计方法比原有用信号的相关系数来代替强相关位相关系数的方法具有较高的精度，从而提高了在VLSI高层设计时对模块功耗估计的精度。表3参5（金）基于25/xm工艺的层次式时间驱动的版图设计/韩晓霞，张明，吴万里，姚庆栋（浙江大学）丨丨电路与系统学报。一集成电路（1C）发展到了系统芯片（SOC）时代。超深亚微米系统芯片具有规模大。复杂度高、系统时钟频率快的特点，传统的设计流程由于设计规模有限和时序难以收敛等原因，已难以适用于系统芯片的设计；常用的展平起标量。趄流水线定点RISC核设计/韦健，张明，周琼芳，遇岩，姚庆栋（浙江大学）》电路与系统学报。一2001，6（4）。
-56-60文中从开发指令级并行度ILP的角度出发，分析了超标超流水线处理器的体系结构特点，在此基础上给出了一个定点趄标RISC核设计。该设计采用Top-down设计方法，含三个流水执行单元，指令动态调度，实现非阻塞高速缓存non-blocking-caches机制。参3（金）SSN研究及其在VLSI设计流程中的应用/徐栋麟，郭新伟，徐志伟，林越，任俊彦（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室电子学报。一2001，29（11）。―1471-1474详述了同步开关噪声（SSN）影响VLSI电路可靡性的一个主耍因索；芯片-封装界面的寄生电感。根据在芯片中插入电源/地线引脚，减小芯片-封装界面的寄生电感的思想，提出一种简便有效的基于SSN性能的输出驱动器优化布局方法并将之集成到VLSI设计流程中。用0.6微米CMOS工艺进行了验证。结果表明>该优化设计可有效降低SSN对VLSI电路可靠性的影响表2参6（金）一种快速的三维VLSI互连电容提取方法：虚拟多介质方法/喻文健，王泽毅，侯劲松（清华大学计算机科学与技术系）《电子学报。
文中提出了一种基于直接边界元方法的虚拟多介质（Quasi-MultipleMedium，QMM）加速方法，并将它应用于三维VLSI多介质互连电容的计算中。QMM方法将三维互连电容器中的单层介质看成由多个虚拟介质组成，从而大大减少了系数矩阵中的非零元数目，最终使计算时间和存储空间显著减少。通过比较QMM算法与非QMM算法，以及商业软件Raphael对实际三维互连结构的计算，结果表明QMM算毕在保持计算准确性的同时，可使电容提取的效率得到显著提高。表3参12（金）平面结场板结构表面场分布的二维解析/何进，张兴，黄如，王阳元（北京大学微电子所）》半导体学报。一2001，22（7）。915-918提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型。在该模型基础上，分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响。解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合。该模型为场板结构的优化设计提供了理论基础。
参11（木）纹膜结构微麦克风的动态特性：使用EDA/GAD工具进行Top-down设计/陈兢，刘理天，李志坚（华大学微电子所综合使用通用电路模拟软件PSPICE和有限元分析软件ANSYS对一种硅S微麦克风进行了系统模拟。得到了各项参数的优化值，优化后的微麦克风在音频范围内具有平直的响应。在此基础上，提出了一种Top-down的优化设计方式以准确预测系统的行为，分析了各组件的相互作用及其对系统性能的影响。表2参9（木）射频微电子机械系统的发展与展望/袁明文（河北半导体所）》半导体介绍了射频微电子机械系统（RFMEMS）的最新进展、研究内容及应用前最。该系统装置包括开关、继电器、电容器、电感器、滤波器及微波和级米波元件。2参22（午）SOC的现状与发展/吴洪江，郑滨（电子部13所）”半导体情报。
介绍了SOC，MEMS，MCM的进展，对SOC在设计、IP芯核开发方面作了简要说明，提出了我国在SOC领域应开展的工作。（午）320×240红外焦平面阵列驱动电路的小型化设计研究/李颖文，易新建，何兆湘，罗艳（华中理工大学）丨/红外与激光工程。一文中提出了320×240红外非制冷焦平面驱动电路及焦平面阵列模拟输出信号的数字化设计方法。采用Xilinx公司的XC9500系列综合可编程逻辑器件设计时序电路，以实现电路的小型化。采用VHDL语言进行设计，便于在试制过程中对电路的逻辑进行修改。采用TI公司的A/D转换器THS1408对焦平面输出的5.5M模拟信号进行模数转换，降低了后续传输过程中的千扰。为320×240凝视型非制冷红外热像仪的研制打下了基础。参2（木）硅衬底微波集成电路/毛军发（上海交通大学）丨丨微波学报。一2001，硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。文中阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点，分析了硅衬底微波传输线，无源元件以及锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT）的电性能，介绍了目前国内外硅衬底微波集成电路研究的进展，并对数字电路与RF及微波电路在娃衬底上混合集成的特点与应用作了讨论。表1参30（许）LSC87嵌人式协处理器中超越函数的实现方法/梁政，杨银堂，沈绪榜（西安微电子所）》西安电子科技大学学报。一2001，28（2）。-介绍了在数学协处理器中常用的超越函数实现方法，分析了在in- telsos协处理器中超越函数实现算法的优缺点，讨论了嵌入式协处理器LSC87的超越函数实现笄法。为优化设计规模和速度，三角函数直接采用超越函数实现算法，而在指数函数和对数函数中采用RESTORINGSHIFT-AND-ADD算法。在基本保持原协处理器数据路径结构的前提下，函数计算的速度有了较大提高。表2参2（金）基于子单元级冗余的VLSI成品率优化设计方法/赵天绪，马佩军，郝跃，焦永昌（西安电子科技大学微电子所）J西安电子科技大学学报。-2001，28（3）。-283-286利用最优化思想描述了子单元级冗余的最优分配模型，用遗传算法给出了全局最优解。该模型中考虑了影响成品率的两个因素：缺陷的平均密度D和支撑电路的面积占单元总面积的比率<5.通过实例分析得到，在D保持不变时最优冗余分配数随6的增加在减少，单元的成品率随5的增加在下降；在<5保持不变时最优冗余分配数随D的增加而增加，单元的成品率随D的增加在下降/表1参6（金）基于神经网络的降阶VLSI/WSI阵列重构算法/高琳，张军英，许进（西安电子科技大学雷达信号处理重点实验室）》西安电子科技大学提出了一个基于Hopfield网络的可降阶VLSI/WSI阵列fi构算法，根据阵列中缺陷单元分布的二分图模型，将问题映射为相应的神经网络，有效地解决了阵列的重构问题。实验结果表明，与启发式搜索方法相比，所提出的神经网络方法是一种快速、高效的方法。表1参所）半导体学报。一2001，22（9）。-1191-1196提出了一种改进的高精度电流型排序电路。它的结构复杂性仅为O（N），便于扩展；动态范围大；它是自适应的，工作点由输入电流确定，故不需要偏置信号，这对作为通用器件使用的排序电路来说是很重要的。通过利用平均值电路、减法电路、WTA电路和控制电路，可以使该电路在大输人电流下依然保持高性能。HSPICE模拟表明该电路具有高准确性、高精度、低功耗的特点。它能用标准数字CMOS工艺来实现，可以被应用于很多领域，具有很高的应用价值。表1参7（木）种基于物理模型与遗传算法的平面螺旋电感的优化技术/林敏，李永明，陈弘毅（清华大学微电子所）//半导体学报。一2001，针对CMOSRF平面螺旋电感的物理模型，提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术。应用这种技术，人们无需再通过等Q值线来求取Q值最佳的电感设计方案，因为等Q值线的计算代价很高，而且一旦工艺条件改变>所有的等Q值线都要重新计算，效率很低。而这里提出的优化技术在计箅时并没有将所有的电感版图设计方案都计算一遍，因而计算效率大大提高。计算结果与相应设计方案的测fi参数比较，只有约5%的计算误差。计算结果与相同条件下的等Q值线的最佳设计方案比较，这种优化技术总能得出与之基本一致的最佳方案。事实上，由于这种优化技术的灵活性，“真正”的最佳设计方案只能由这种优化技术得出，而等Q值线只能得出“相对”最佳的设计方案，表* 2.5Gb/sGaAsMESFET定时判决电路/詹琰，夏冠群，王永生，赵建龙，朱朝嵩（中国科学院上海冶金研究所）//半导体学报。一设计了2.5Gb/s光纤通信用尽型GaAsMESFET定时判决电路。通过SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2.5Hz，判决电路传输速率达2.5Gb/s.实验证明经时钟信号抽样后判决电路可产生正确的数字信号，传输速率达2.5Gb/s*参8（木）线性横拟集成电路故障测试与诊断：短路导纳参数法/李锋，商恝亮，孔庆生（复旦大学）”应用科学学报。一2001，19（3）。
*228-232提出一种线性模拟集成电路故障测试与诊断方法：短路导纳参数法。该方法只要对电路外部端口进行两次电压测试即可判断该电路是正常的还是有故障的；用i亥方法可以设计出电路自动测试装置，应用于线性模拟集成电路生产线的自动测试或供维修人员判定电子设备中线性模拟集成电路是否有故障。其突出优点是对元件参数容差和测试、计算误差有抑制能力。表1参8（木）一个128x128CMOS快照模式焦平面读出电路设计/陈中建，李晓勇，喻松林，韩建忠，吉利久（北京大学微电子朗//电子学报。一文中介绍了一个工作于快照模式的CMOS焦平面读出电路新结构一索电路仅用4个MOS管，采用特殊的版图设计并用PMOS管做复位管，既可保证像素内存储电容足够大，又可避免复位电压的阈值损失，从而提高了读出电路的电荷处理能力。由于像素电路非常简单，且该结构能有效消除列线寄生电容C6us的影响，因此该结构非常适用于小像素、大规模的焦平面读出电路。采用DCA结构和1.201双双招（DPDM-Double-PolyDouble-Metal）标准CMOS工艺设计了一个128×128规模焦平面读出电路试验芯片，其像素尺寸为50×50/im2，电荷处理能力达11.2pC.文中详细介绍了该读出电路的体系结构。像素电路、探测器模型和工作时序，并给出了精确的HSPICE仿真结果和试验芯片测试结果。表1参8（金）在VLSI布局中的Boole方法/刘彦佩（北方交通大学）//中国科学A辑*2001，31（10）。*871-877用Boole方法，讨论那些与VLSI布局有关的图的嵌入，主要是在图的平面性一般理论、可定向性以及纵横布局等方面，似有异曲同工之妙。参13（木）一种改进的VLSI关键面积计算模型和方法/马佩军，郝跃，寇芸（西安电子科技大学）丨丨半导体学报。一2001，22（9）。*1212-1216从故障机理上研究了现有的关键面积计算模型，改进了其开路/短路关键面积计算模型的故障核，从而得到适用于一般版图图形结构的关键面积计算方法。这对计算VLSI关键面积、指导版图优化设计和提高1C成品率有重要意义。参9（木）CPU桥ASIC设计中CPU模拟器的设计/邓让邢座程，谢伦国（国防科技大学计箅机学院）//计算机工程与应用。一功能模拟是设计高性能微处理器接口ASIC芯片的IE要环节，g的是消除ASIC的功能性设计错误。为了更好地对ASIC芯片进行模拟，骼要灵活、方便、能够体现微处理器行为的CPU模型，文章将介绍了对一个CPU行为模拟器的开发参2（刚）基于PCI总线的DVB流合成及传输系统实现/张登福，蒋大宗，毕笃严，毛柏鑫（西安交通大学生物医学工程所）//计笄机工程与应用。-2001，37（1）。-101-103该文讨论了利用S5920和PLD实现TMS320C32与PCI总线间数据传输，以及用协处理器完成DVD流合成的具体方案；结合设计给出了MAX+PLUSn软件中FIFO模块的使用和操作时序。针对DVB传输流形成，讨论了在复杂时序逻辑设计中，使用同步触发和2倍输入时钟方式消除毛刺的产生，结果表明这种方法是很有效的。
参5（刚）9、电子元件、组件电流变液在大射电望远镜馈源支撑系统风振半主动控制中的应用/苏玉鑫，段宝岩，南仁东，彭勃（西安电子科技大学）//西安电子科技大学学m.针对大射电望远镜悬索馈源支撑系统的随机风振响应问题，在简单介绍了电流变液及电流变阻尼器形式的甚础上，设计了一种电流变可调阻尼器来实现大射电望远镜悬索馈源支撑系统风振的半主动控制。详细推导了电流变可调阻尼器的力学模型，通过计算机仿真，验证了所设计的可调阻尼器的有效性。彻底解决了悬挂拖动系统的附加阻尼控制问题。图数字电位器DS1867在粮食烘干塔水分测控系统中的应用/杨宇祥，王可宁，滕召胜（湖南大学）丨丨仪表技术。一2001，（4）。
*17-19通过分析数字电位器DS1867的工作原理，介绍它在粮食烘干塔水分测控系统中用作D/A转换器的方法，并提供了硬件电路和软件流程，为D/A转换器的设计、数字电位器的应用提供了一条新思路。参无损耗电阻器的端□特性及应用/吴建华，殷洪义，徐心和（东北大学）W东北大学学报。一2001，22⑷。一370 ~372对无损耗电阻器的特性和功能进行了分析和探讨，建立了无损耗电阻器的数学模型和应用箅法，并用无损耗电阻器代替电路中的电阻器，实现了动态电路的特性校正，大大减小了电路的能盘损耗。实验结粜验证了特性分析和算法的正确性，说明了无损耗电阻器可用于各类电系统及自动控制系统。参8（木）新型能源器件一~起级电容器研究发展最新动态/钟海云，李荐，诹艳阳，李庆奎（中南大学信息科学与工程学院）//电源技术介绍了超级电容器工作原理、结构特点，并综述了国内外最新研究发展动态及产业化情况。超级电容器是近年来出现种新型能源器件，兼有常规电容器功率密度大、充电电池能固：密度高的优点，可快速充放电，且寿命长，很有希望发展成为一种新型、高效、实用的能fl储存装赀。超级电容器的工作原理、结构特点与普通电容器有很大不同。超级电容器主要由极化电极。集电极、电解质、隔离膜。引线和封装材料几部分组成，各部分的组成、结构均对其性能有要的影响。表1参23（木）/YBC0/Pt/Ti02/Si02/Si的性质/李启亮，王栩生，殷江，高兴森，刘治国（南京大学）》南京大学学报（自然科学）。
最近的研究表明，通过用导氧化物作电极，可部分的改善电薄膜的疲劳和
