7 月 17 日消息,韩媒 bloter 于 7 月 15 日发布博文,爆料称三星计划在 Exynos 2500 芯片中使用硅电容。

注:硅电容(Silicon Capacitor)通常采用 3 层结构(金属 / 绝缘体 / 金属,MIM),超薄且性状靠近半导体,能更好地保持稳定电压以应对电流变化。

硅电容具有许多优点,让其成为集成电路中常用的元件之一:

  • 首先,硅电容的制造成本较低,可以通过批量制造的方式大规模生产。
  • 其次,硅电容具有较高的可靠性和长寿命。由于其结构简单,易于加工和集成,硅电容的失效率较低。
  • 此外,硅电容的尺寸小,占据空间少,适合集成电路的微型化和高密度集成。

报道指出三星电机(Samsung Electro-Mechanics)已开发出用于量产 Exynos 2500 芯片的测试设备,该芯片的前期量产工作已经就绪,即将开始量产。

三星计划在明年推出的 Galaxy S25、Galaxy S25+(有相关线索表明会被砍掉,目前无法确认)两款手机上使用 Exynos 2500 芯片。

此前报道,三星 Exynos 2500 最近取得了突破性进展,至少目前流片的工程样品已经达到了 3.20GHz 高频,同时比苹果 A15 Bionic 更省电,将成为“迄今为止效率最高的芯片”。

Loading

作者 yinhua

发表回复