10月14日，格芯（GlobalFoundries，GF）宣布，已被选定为美国纽约州马耳他（Malta）两座新建半导体晶圆厂的技术提供方和运营方。该项目属于美日两国政府合作的半导体制造投资计划，潜在融资规模最高达210亿美元，由日本方面提供投资资金。

根据格芯公告，项目首期投资约100亿美元，将用于加快建设一座新的300mm（12英寸）晶圆厂，计划于2029年投产。后续约100亿美元投资将用于建设第二座晶圆厂，两座工厂全部投产后，预计每年合计增加约180万片12英寸晶圆的制造产能。

其中，首座工厂满负荷运营后，预计可增加约90万片晶圆的年产能；第二座工厂规划产能与之相当。整个项目预计创造约2.7万个建设及产业生态相关岗位，以及超过1000个高技能制造岗位。

格芯首席执行官Tim Breen表示，该项目将美国和日本的投资合作与格芯的差异化半导体技术、制造经验相结合。他指出，大规模晶圆厂建设不仅需要资本，也需要成熟的工艺技术、运营能力和项目执行经验。

此次投资源于特朗普政府与日本达成的贸易及投资协议，旨在扩大美国本土半导体制造能力，并强化汽车、工业和互联基础设施等领域的供应链。

美国政府将获得格芯约4%股权

除日本方面提供建设资金外，美国政府也将通过股权安排参与格芯的发展。

格芯公告显示，美国商务部将根据另一项协议获得格芯约4%的股权。这一安排也延续了特朗普政府通过持股方式参与美国半导体产业发展的政策方向。

此前，美国政府已采取类似方式获得英特尔的股权。特朗普在社交媒体上表示，美国政府也将获得格芯股份。

值得关注的是，此次日本方面主要负责提供投资资金，格芯则作为两座新工厂的技术提供方与运营方，负责工艺技术及制造运营。该安排使格芯能够在外部资本支持下扩大美国本土制造产能。

格芯还与美国商务部达成协议，调整此前根据美国《芯片与科学法案》获得的部分资金用途。

按照新的安排，原有拨款中约9.55亿美元将重新分配，用于加速格芯在纽约州Malta和佛蒙特州Burlington生产基地的硅光子、硅锗（SiGe）及先进封装技术投资。

这些技术主要面向通信基础设施、数据中心等应用领域。硅光子和SiGe工艺在高速光通信、高频器件以及下一代互连技术中具有重要应用价值，相关投资将进一步扩大美国本土的特色半导体制造能力。

格芯此前已获得拜登政府《芯片与科学法案》的资金支持。随着日本提供新的建厂融资，部分原有联邦资金可以转向其他半导体技术及产能扩建项目。

新增产能主要面向汽车、工业和通信市场

与台积电、英特尔重点布局先进逻辑制造的部分投资项目不同，格芯长期专注于特色工艺及成熟制程制造，覆盖RF、FD-SOI、嵌入式存储、模拟混合信号及其他差异化半导体技术。

格芯表示，新建工厂将重点支持汽车、工业以及互联基础设施市场日益增长的半导体需求。

这些领域对芯片供应的长期稳定性、可靠性及制造地点有较高要求。汽车电子、工业控制和通信基础设施涉及大量采用特色工艺生产的半导体器件，并不全部依赖最先进的逻辑制程。

与此同时，AI数据中心建设也带动了高速通信、光互连及电源管理等半导体需求。此次格芯将原有联邦拨款中的部分资金转向硅光子、SiGe及先进封装，也与这一市场需求相对应。

根据日本财务省10月15日发布的声明，美日双方已同意将纽约州半导体制造项目作为两国战略投资倡议下的首个半导体项目。项目初期规模约100亿美元，计划在2026年内开工，未来可能通过增加生产设施，将整体规模扩大至约210亿美元。

文章来自：电子工程世界