10月20日，SK海力士宣布，成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片。该产品可以与 CPU、GPU 核心相邻封装在一起，采用多层堆叠工艺，实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。
目前 HBM DRAM 已经发展到了第四代，HBM3 进一步提升了单片容量以及带宽。SK海力士表示，2020 年 7 月便开始量产 HBM2E 内存，为全球首批量产这种芯片的企业。
SK海力士最新的 HBM3 芯片，单片最大容量可达 24GB，最高带宽达到了 819 GB/s，相比 HBM2E 提升了 78%。不仅如此，产品还支持片上 ECC 纠错，显著高了可靠性。
此次HBM3将以16GB和24GB两种容量上市。特别是24GB是业界最大的容量。为了实现24GB，SK海力士技术团队将单品DRAM芯片的高度磨削到约30微米(μm, 10-6m)，相当于A4纸厚度的1/3，然后使用TSV(Through Silicon Via，硅通孔技术)技术垂直连接12个芯片。
HBM3将搭载高性能数据中心，有望适用于提高人工智能完成度的机器学习和分析气候变化，新药开发等的超级计算机。
负责SK海力士DRAM开发的车宣龙副社长表示，“该公司推出的全球首款HBM DRAM，引领了HBM2E市场，并在业界内首次成功开发了HBM3。公司将巩固在高端存储器市场的领导力，同时提供符合ESG经营的产品，尽最大努力提高客户价值。
