在半导体器件当中，提到DIBL时，往往会提到GIDL。所谓GIDL是Gate Induced Drain Leakage的简称。实际上，GIDL与DIBL除了名字比较像之外，实质上并无多少关系。所以最多只能算远房兄弟。

所谓GIDL，实际上是晶体管在截止时的一种漏电机制。以NMOS为例，其发生在漏端高电压，栅极零电压或者负电压的状态。这种状态实际上MOS的电流应该处于Ioff的状态。而由于GIDL的存在，Ioff会异常上升，并且随着栅极负压的增大而变得更明显。

图：GIDL的例子：实心点NMOS，空心点PMOS。来自M. Lundstrom Lecture Notes EE-612 F06

一般来讲，我们认为器件在线性区漏极电压很小，没有GIDL现象 。从上图明显可以看到在0V时Idsat曲线比Idlin曲线的电流高了两个数量级。在反方向继续扫描Idsat曲线，Ioff反而会进一步升高。

另外，在这个图中同样也可以看到DIBL。有兴趣的同学可以复习一下前面的内容。EDA探索丨第5期：DIBL究竟是什么？

一句话概括GIDL的机制，即是栅极与漏极交叠区发生的BTBT。这里面有两个要素：栅漏的交叠与BTBT漏电。

顾名思义，GIDL即是Gate与Drain之间的漏电。从物理上来说，栅极与漏极之间有绝缘层相隔，如果发生漏电则必须要有一定的交叠区域，来达到“面对面”的效果。对于理想的MOS来说，实际上栅与漏是没有交叠的。但是在实际器件当中，即便是自对准工艺也会让栅极和源漏之间有少量的交叠。这样，栅极和漏极之间便可以隔氧化层相望。

图：GIDL机制示意。来自IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 53, NO. 5, MAY 2006

在栅压为负，漏端电压较大时。在栅与漏的交叠区会产生一个小的耗尽区，称为Gate-induced Drain DepleTIon Region。在这个区域当中，新产生的电子空穴对可以被Body或者Drain端收集，产生电流。

至于新产生的电子空穴对，可以是自然的热激发，但是更主要的是BTBT，即Band-to-band tunneling的简称，中文一般叫做带间隧穿。

图：漏极耗尽区BTBT示意。来自M. Lundstrom Lecture Notes EE-612 F06

从能量的角度来看，导带中未被电子占用空能态与价带中被电子占用能态有相同能量，当势垒区比较窄时，电子可以从价带直接到导带，从而产生电子空穴对。进而载流子被收集。这个过程与太阳能电池是类似的，即半导体被光激发之后产生额外的电子空穴对，之后被分离与收集。只不过在BTBT当中，这种过程是在电场作用发自发产生的。但是产生了额外电流这一点是相同的。

GIDL主要影响的是半导体器件在关断状态下的功耗，随着器件普遍的移动化，小型化趋势。这种漏电是必须要克服的，否则会大大影响产品的续航表现。鲁迅先生告诉我们，解决问题要对症下药。既然GIDL的两个要素是栅漏电极的交叠和BTBT，那么我们在器件设计时，要尽量地减少栅极的交叠设计，同时仔细设计LDD等方法，以减小Gate-induced Drain DepleTIon Region的电场，从而降低BTBT的发生。