据多方媒体报道，日前，三星电子DS部门存储器业务总裁兼总经理李祯培在活动时公开展示了三星未来内存产品路线图。
根据DDR内存路线图显示，三星计划在2024年内推出 1c nm 制程DDR内存，该节点可提供32Gb颗粒容量产品；而在2026年三星将推出其最后一代10nm级工艺 1d nm，仍最大提供32Gb容量；2027年，三星将突入10nm以下级DRAM制程节点，发布 0a nm 工艺DDR内存产品，同时该节点的内存单颗粒容量将来到更高的48Gb，即6GB。
而在HBM内存路线图上，三星电子明确其下下代产品HBM4E将于2026年推出。
