硅表面专门暴露在有机和金属污染中，以研究它们对碱性纹理化过程的影响，由此可见，无机污染对金字塔密度的影响不小，而对宏观参数没有影响，而胶残留剂或刻蚀剂等有机污染则存在关键问题，可以抑制碱性纹理化过程。

将单晶硅晶片加工成太阳能电池包括作为第一步，去除锯片损伤和晶片的碱性纹理，这是改善光捕获和获得一个较低的反射的最重要的过程之一，碱性纹理过程发生在热的碱性水溶液中，并在晶片表面产生随机的金字塔，金字塔的启动对过程条件高度敏感，但也存在有机和无机污染，硅表面或浴液中的污染抑制或加速了锥体的形成，并可能导致硅表面的不均匀性或无纹理部分。

首先，研究了不同污染对碱性纹理化的影响，单晶硅晶片被污染，金属、胶水和浆液作为湿液滴应用于硅表面，在氮气气氛中干燥，将金属溶液从ICP多元素校准标准溶液（硝酸中的金属盐）中稀释，从晶片中提取的双组分粘合剂溶解在醋酸中(40wt。%在50°C)，用丝网印刷机将刻蚀剂印刷到硅表面，并在随后的加热过程中干燥，随后用湿氢氧化钾水溶液（在室温下3%氢氧化钾）在湿台上剥离刻蚀剂。

在调查了表面污染对纹理化行为的影响后，评估了不同的清洗序列与纹理化行为和清洗效率之间的关系，在这项工作中，研究了三个清洗序列，硅片被污染，然后在湿台上清洗，臭氧溶液是由臭氧发生器产生的，清洗步骤后，晶片在含有KOH/有机添加剂的湿台上纹理，温度为90°，纹理时间为15分钟。

在研究了晶圆污染后的不同清洗过程之后，讨论了有和没有预清洗的碱性纹理化的参数，金属污染对纹理化行为的影响可以忽略不计，因此只提出了清洗效果，纹理化参数没有得到进一步的研究，下图中显示了去除的金属离子的数量，结果表明，dHCl/o3溶液是最有效的溶液，这是由盐酸形成的金属离子引起的，盐酸可以从表面溶解，除铁外，SC1的络合效果与dHCl/o3一样好，氢氧化钾去除物质产生的平均浓度为10E14at/cm²，高于其他清洗。

有机污染对碱性纹理有很大影响，这种影响在不同的纹理化参数中都可以观察到，在图中显示了参考晶片和受污染晶片的加权反射，反射从11%增加到蚀刻抗污染晶片的30%。

对有机污染最有效的清洁方法是sc1-清洁方法，被胶水污染的晶片，在此清洗步骤后可以成功地变形，而氢氧化钾或DHCl/o3清洗步骤后的反射值与未清洗的晶片在同一区域，用抗蚀刻剂进行的污染似乎是最关键的，因为它们不能被任何使用过的清洁序列充分去除。

在不同纹理化实验的表面放大的情况下，观察到与已经描述的加权反射相同的行为，由SC1处理的参考物、浆液、乙酸和预清洗胶的表面放大范围为1,50到1.60，而清洗不足的晶圆的表面放大范围在不完全纹理化范围内（<1,4），通过每个清洗过程的共聚焦显微镜图像显示，实验结果为有机和金属污染对碱性纹理化的影响提供了新的见解，结果表明，金属污染对碱性纹理化的影响很小，对有机污染的调查表明，在所使用的浓度下，浆液和醋酸都不会对碱性纹理化造成问题，一个严重的问题是蚀刻剂，最小的残留物完全阻止了纹理化机制，纹理浴中最小的抗污染导致其无法使用，氢氧化钾去除的材料和臭氧或SC1的氧化电位都不能完全去除蚀刻剂。此外，研究表明，晶片过程中使用的胶水的残差导致了微金字塔的起始问题，这可能是硅片上未纹理条的一个原因，原因可能是清洗的不发达或清洗过程的参数化不正确，与氢氧化钾和DHCl/O3相比，标准结构中的SC1成功地消除了这些残差，如图所示参数的结果证明了这一点。