本书介绍了碳化硅宽带隙半导体的基本性质，晶体及薄膜生长技术，器件工艺以及在高温、高频、大功率器件等领域的应用，同时也对金刚石以及CaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体作了简单介绍。 《微电子学丛书》序 前言 目录 第一章 SiC半导体材料及其性质 第二章 SiC单晶体的生长 第三章 SiC薄膜的生长及其机理 第四章 品质因数与宽带隙半导体的应用 第五章 SiC器件工艺 第六章 GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽带隙半导体 附录 碳化硅的主要数据 赞微海报分享 文章导航 高级ASIC芯片综合 这家光芯片厂商完成新一轮近亿元融资，VCSEL累计量产出货超千万颗
