据外媒报道，英特尔周三表示，其名为“Intel 3”的3nm制程技术已在俄勒冈州和爱尔兰工厂开始大批量生产，并提供了有关新生产节点的一些额外细节。
据介绍，新工艺带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持1.2V的超高性能应用电压。该节点既针对英特尔自己的产品，也针对代工客户，将在未来几年不断发展。
英特尔一直将Intel 3制造工艺定位于数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与Intel 4相比）、降低晶体管通孔电阻的电源传输电路以及设计协同优化来实现尖端性能。生产节点支持<0.6V低压以及>1.3V高压以实现最大负载。在性能方面，英特尔承诺在相同功率和晶体管密度下，新节点将实现18%的性能提升。
目前，英特尔将使用其3nm级工艺技术制造Xeon 6数据中心处理器。最终，英特尔代工厂将使用该生产节点为客户制造数据中心级处理器。除了基础版的Intel 3，该公司还将提供支持硅通孔并可用作基础芯片的Intel 3T。未来，英特尔将为芯片和存储应用提供功能增强的Intel 3-E，以及可用于各种工作负载/高性能计算（HPC）和通用PC）性能增强的Intel 3-PT
