功率半导体有一个挺有意思的现象。12英寸晶圆已经用了很多年，CPU、GPU、存储等早就不用说了，MCU、模拟芯片这些成熟制程产品也在不断向12英寸迁移。但MOSFET、二极管、IGBT这些功率器件，直到今天，8英寸还是很常见的工艺。

很多产品用了十几年，工艺已经很成熟，设备也折旧得差不多了，一条老8英寸线也很容易赚钱。12英寸晶圆可以做更多芯片，但新设备、工艺迁移、产品验证，这些都是成本里。

所以不少功率厂商都在计算12英寸的迁移成本。

最近安世中国把这个账重新算了一遍。8月23日，安世中国举行新品全球发布会，宣布双极分立器件、功率MOSFET和逻辑IC在内的几条核心产品线，都在向12英寸平台迁移。公司计划第三季度发布超过900颗基于12英寸平台的产品，第四季度再增加1700颗以上，已经完成和正在研发的型号合计超过1万款。

安世中国已经完成40V T2x产品开发，80V产品正在开发，预计下一步继续释放80V—100V SGT产品。T2x属于SGT，也就是屏蔽栅沟槽MOSFET。同等封装下，安世称它的功率承载上限可以达到传统T6系列两倍以上，目前领先产品RDS(on)已经低至0.48mΩ。

12英寸的账

12英寸最大的优势就是大。300mm晶圆面积大约是200mm晶圆的2.25倍，所以同样跑一片Wafer，理论上能够做出更多Die。安世中国CEO张秋明这次给出的数据是，与8英寸相比，12英寸单片产出可以提高2.2倍。

按照安世披露的数据，其成熟12英寸工艺良率已经接近99%；Power MOSFET转向12英寸之后，单颗成本相比8英寸平台能够下降大约30%。

对于安世这种每年出货超千亿颗的厂商来说，迁移12英寸具有真金白银的意义。

为什么先盯着40V MOSFET？

安世这次T2x首先落在40V，也很好理解。

现在一说新能源汽车功率半导体，大家很容易想到1200V SiC MOSFET，或者800V主驱。

实际上，一辆汽车里数量更多的是低压功率器件。车窗、雨刷、水泵、风扇、座椅、电动尾门，各种小电机和执行器都要用MOSFET。到了新能源汽车，热管理系统反而更复杂了，电池要管温度，电机、电控也要管温度，水泵、电子阀、风扇的数量继续增加。据统计，目前每辆车上要有100个低压MOSFET。

传统12V汽车电气系统里，40V MOSFET非常适合。因为汽车电源需要考虑各种恶劣环境下的裕量，因此40V是目前市场上需求量最大的品类。

关注48V系统

再往后看，安世现在开发80V，并准备继续覆盖80V—100V，这个动作更值得琢磨。

原因是随着汽车区域架构及功率等级的提升，48V架构的趋势开始明显。考虑汽车瞬态和设计裕量，功率器件自然会往80V、100V走。

安世目前刚好踩在汽车电子电气架构升级的关键转折点上，此时，12V与48V正成为基础盘与扩展盘的双重增长引擎。

安世的产能正在快速恢复

真正决定12英寸经济性的，主要是产能和产量，为此安世必须快速导入国产化的制程中。

庞大的二极管、晶体管、MOSFET和逻辑产品组合，使其12寸产能得以迅速释放，晶圆厂利用率提升，这也是IDM的关键竞争力。

安世中国还披露，新品迭代周期已经缩短至6—12个月，量产爬坡速度从过去的12—16周压到4—6周，这种中国速度下，安世实现了快速迭代以及乐观的展望。

过去11个月，安世中国已经向全球上千家客户交付超过400亿颗芯片。

“中国独立运营不是为了对抗谁，而是为了守护谁。”张秋明强调，“对客户，我们要让他们知道选择安世中国就不需担心断供；对员工，我们要让他们有尊严地工作；对供应链，让上下游合作伙伴清楚跟着安世走，路越走越宽。”

文章来自：电子工程世界