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引言

本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m,深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特性,结果表明TSV具有低电阻和低电容;小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TSV产率。

介绍

使用无切口硅蚀刻和第一金属层的湿法清洗的最后通孔TSV工艺使用无切口硅蚀刻和第一金属层的湿法清洗的最后通孔TSV工艺的流程图。在这项研究中,最初的晶圆是8英寸。采用0.22微米CMOS技术制造的三层Al–Cu布线硅片。首先,8英寸的切边。

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使用116个TSV链模式来评估TSV产量. 每个TSV链模式包括20,000个tsv。

数字13 示出了TSV链图案中tsv的数量和电阻之间的关系的示例。TSV链成功连接到20,000个TSV,并且TSV链图案中每个节点的平均电阻较低。作为20,000个TSV的平均值获得的TSV链电阻的可接受质量水平被设置为低于0.2ω/节点。在8英寸的情况下,TSV产量被确定为83%。即使每个芯片使用20,000个tsv。这一数值高于之前的一项研究。

结论

在这项工作中,开发了具有无切口硅蚀刻和第一金属层湿法清洗的最后通孔TSV工艺。硅和二氧化硅之间的界面上的缺口是通过优化深硅蚀刻条件来抑制。用有机碱性溶液湿法清洗第一金属层,以去除第一金属层上的污染物。一些小型TSVs直径:6米;TSV深度:22米;tsv的数量:20,000个/芯片)。发现tsv具有良好的电特性,在8英寸上具有高产量(83%)。威化。

因此,这种最后通孔TSV工艺在促进具有许多小tsv的高性能3D系统的开发方面显示出巨大的潜力。

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