全球氮化镓（GaN）产业正迎来历史性重构。继台积电宣布 2027 年前逐步退出氮化镓代工业务后，行业近期接连曝出两大关键合作：美国晶圆代工厂格芯（GF）正式获得台积电 650V 与 80V 氮化镓技术授权，同时氮化镓龙头企业纳微半导体与力积电达成战略合作，启动 8 英寸氮化镓产线量产。这一系列动作标志着全球氮化镓产能向格芯、力积电等企业多元承接的格局转变，将加速该技术在新能源汽车、AI 数据中心等高端领域的规模化应用。

作为硅基氮化镓技术产业化的核心推动者，台积电早在 2011 年便启动相关研发，2015 年实现量产，构建了覆盖 40V-650V 多电压等级的技术平台，巅峰时期占据全球 40% 的氮化镓晶圆代工市场份额，曾为纳微等企业提供代工服务，推动氮化镓在消费电子快充领域的普及。此次选择退出，主要源于业务战略聚焦：相比 AI 芯片、先进封装等高利润赛道，氮化镓业务投片量小、营收贡献有限，叠加英诺赛科等厂商的 8 英寸产线成本竞争与镓原料供应链管制压力，台积电决定将资源转向更高回报领域。

而格芯获得台积电 650V 与 80V 氮化镓技术授权，成为台积电退场后的关键补位动作。总部位于美国纽约州马尔他的格芯，是全球唯一总部设在美国、拥有美欧新三地制造布局的纯晶圆代工厂。根据协议，格芯将依托佛蒙特州伯灵顿制造基地在硅基高压氮化镓技术上的积累，完成授权技术的认证工作，计划 2026 年初启动开发、同年晚些时候实现量产。此举不仅能快速完善格芯的氮化镓产品组合，切入数据中心、工业设备及电动汽车电源应用领域，更将填补台积电退场后美国本土的氮化镓产能空白，为全球客户提供本土化供应链支持。

“此次协议彰显了格芯对创新的承诺，以及聚焦差异化技术、满足关键功率器件需求的战略方向，” 格芯电源业务高级副总裁泰娅・威廉姆斯表示，“通过引入这一成熟的氮化镓技术，我们将加快下一代氮化镓芯片的研发步伐，填补数据中心、汽车及工厂等关键任务应用中的核心电源技术缺口。”

与此同时，台积电的核心氮化镓客户纳微半导体也完成了产能接续布局。2025 年 6 月，纳微宣布与力积电达成战略合作，启用其苗栗竹南科学园区 8B 厂的 8 英寸产线，依托 180nm CMOS 工艺生产 100V-650V 氮化镓产品，适配超大规模 AI 数据中心、电动汽车等高端场景。双方制定了明确的转产时间表：首批器件预计 2025 年第四季度完成认证，100V 系列 2026 年上半年投产，原台积电代工的 650V 器件将在 12-24 个月内逐步转产。得益于台积电硅基氮化镓技术与力积电工艺的高度兼容性，此次转产将有效降低技术适配成本与风险。

业内分析认为，这一系列合作是行业成熟化进程中的一次重要 “换挡”。台积电通过技术授权延续了其氮化镓技术的行业价值，格芯与力积电则借助技术转移和客户承接，快速跻身氮化镓代工核心梯队。随着产能布局的进一步完善，氮化镓技术在高效电源、新能源汽车、可再生能源系统等领域的应用门槛将持续降低，产业规模化发展有望进入加速期。

文章来自：电子工程世界